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三菱电机展出功率为180W的GaN HEMT用于4G宏蜂窝基站
作者:admin  日期:2021-08-10 21:55 来源:未知 浏览:

  在“2015日本微波展”(11月25日~27日在太平洋601099股吧)横滨国际会展中心举行)上,三菱电机展出了用于第4代(4G)移动通信基站的功率放大器的3.5GHz频带GaN HEMT,包括两款用于宏蜂窝基站的产品和三款用于小蜂窝基站的产品。

  使用了展示品的Doherty功率放大器。左为宏蜂窝基站用产品,右为小蜂窝基站用产品。《日经电子》拍摄 (点击放大)展示品的概要。三菱电机的数据 (点击放大)

  三菱电机于2015年3月发布了用于宏蜂窝基站的一款产品和用于小蜂窝基站的一款产品(参阅本站报道)。马会小马哥马报,前者是饱和输出功率为90W的“MGFS50G38FT1”,漏极效率高达73%,线dB。此次,还展出了饱和输出功率为180W的“MGFS53G38FT1”,漏极效率高达72%,线dB。两款产品的工作频率均为3.4GHz~3.8GHz。

  小蜂窝基站用产品方面,三菱电机在3月发布了饱和输出功率为9W的“MGFS39G38L2”(漏极效率为69%,线dB)。此次还展出了饱和输出功率为7W的“MGFS39G38L2”(漏极效率为70%,线dB)和饱和输出功率为5W的“MGFS39G38L2”(漏极效率为71%,线dB)。三款产品的工作频率均为2.5GHz~3.8GHz。

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